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(c) 성균관대학교 반도체 및 나노응용연구실

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No	제목	작성자	등록일
5	Self-limited growth of InAs at 480 ℃	최고관리자	2025-05-13
4	AlGaAs-GaInP heterojunction tunnel diode for cascade solar c…	최고관리자	2025-05-13
3	GaInP-GaAs schottky diode grown by atomic layer epitaxy and …	최고관리자	2025-05-13
2	Atomic layer epitaxy of AlxGa1-xAs and device quality GaAs	최고관리자	2025-05-13
1	Atomic layer epitaxy of AlGaAs	최고관리자	2025-05-13